AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with transparent gates by Al-doped ZnO von 王冲 何云龙 郑雪峰 马晓华 张进成 郝跃

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Effects of the fluorine plasma treatment on low-density drain AlGaN/GaN HEMT von 王冲 魏晓晓 何云龙 郑雪峰 马晓华 张进成 郝跃

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Breakdown voltage and current collapse of F-plasma treated AIGaN/GaN HEMTs von 王冲 陈冲 何云龙 郑雪峰 马晓华 张进成 毛维 郝跃

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Photoresponse and trap characteristics of transparent AZO-gated AlGaN/GaN HEMT von 王冲 赵梦荻 何云龙 郑雪峰 张坤 魏晓晓 毛维 马晓华 张进成 郝跃

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Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with oxygen plasma treatment von 何云龙 王冲 宓珉瀚 郑雪峰 张漾 赵梦荻 张恒爽 陈立香 张进成 马晓华 郝跃

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