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An extrinsic fmax 〉 100 GHz InAlN/GaN HEMT with AlGaN back barrier
Veröffentlicht in 半导体学报
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Ultra-low specific on-resistance SOI double-gate trench-type MOSFET
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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A low on-resistance triple RESURF SOI LDMOS with planar and trench gate integration
Veröffentlicht in Chinese physics B
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W-band GaN MMIC PA with 257 mW output power at 86.5 GHz
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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