Ge基板上に格子整合したInGaAsのピコ秒スピン緩和の観測 von 浅香, 尚洋, 石塚, 俊裕, 牛見, 健則, 竹内, 淳

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Ge基板上高SiドープGaInPのスピン緩和(10-300K) von 石塚, 俊裕, 牛見, 健則, 中田, 大海, 竹内, 淳

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GaInNxAs/GaAs多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性II von 中田, 大海, 牛見, 健則, 石塚, 俊裕, 竹内, 淳

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Ge基板上に成長させたInGaAsのスピン緩和の観測(10-300 K) von 牛見, 健則, 中田, 大海, 石塚, 俊裕, 竹内, 淳

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時間分解フォトルミネッセンス測定によるGe基板上高SiドープGaInPのスピン緩和の観測 von 石塚, 俊裕, 牛見, 健則, 中田, 大海, 竹内, 淳

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GaInNxAs/GaAs多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性 von 中田, 大海, 浅見, 健志, 牛見, 健則, 竹内, 淳

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時間分解ポンププローブ反射計測によるGe基板上InGaAsバルクのスピン緩和の観測 von 牛見, 健則, 浅見, 健志, 中田, 大海, 竹内, 淳

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時間分解ポンププローブ反射計測によるGaInNAs/GaAs多重量子井戸のスピン緩和の観測 von 中田, 大海, 浅見, 健志, 牛見, 健則, 竹内, 淳

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低温(10-100 K)におけるGaInNAs/GaNAs/GaAs量子井戸のスピン緩和 von 牛見, 健則, 浅見, 健志, 中田, 大海, 竹内, 淳

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高In組成InGaAs/GaAs量子井戸のスピン緩和II von 浅見, 健志, 牛見, 健則, 中田, 大海, 竹内, 淳

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時間分解ポンププローブ反射計測法によるInGaAs/GaAs単一量子井戸のスピン緩和の観測 von 牛見, 健則, 納所, 秀宇, 浅見, 健志, 竹内, 淳

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