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    Efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode with a p-AIGaN/GaN superlattice last quantum barrier

    Efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode with a p-AIGaN/GaN superlattice last quantum barrier von 熊建勇 赵芳 范广涵 许毅钦 刘小平 宋晶晶 丁彬彬 张涛 郑树文

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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