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17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_<1-x>結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_<1-x>結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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GaSb/InSb/GaSb サンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流, マランゴニ対流の影響に関する数値解析
Veröffentlicht in 日本マイクログラビティ応用学会誌
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(Nd_<1/3>Eu_<1/3>Gd_<1/3>)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長 : 溶液成長II
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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