FLAを用いた浅く高活性なn+/p Ge接合形成と酸素ノックオンの影響 von 河原崎, 光, 谷村, 英昭, 加藤, 慎一, 青山, 敬幸, 小林, 一平, 鈇田, 博, 中島, 良樹, 永山, 勉, 濱本, 成顕, 酒井, 滋樹

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イオン注入およびFLAを用いたn+/p, p+/n Geにおける高活性化と浅い接合形成 von 谷村, 英昭, 河原崎, 光, 加藤, 慎一, 青山, 敬幸, 小林, 一平, 鈇田, 博, 中島, 良樹, 永山, 勉, 濱本, 成顕, 酒井, 滋樹

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Siへのクラスターイオン注入VI - P拡散抑制におけるクラスターCの注入深さ依存性 von 中島, 良樹, 濱本, 成顕, 永山, 勉

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Siへのクラスターイオン注入V - クラスターC co-implantationによるP拡散抑制と高活性化 von 中島, 良樹, 濱本, 成顕, 永山, 勉

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Siへのクラスターイオン注入IV - クラスターC注入により形成したa-Si層の評価 von 鉄田, 博, 濱本, 成顕, 永山, 勉, 海勢頭, 聖, 古賀, 雄二, 河村, 泰典, 中島, 良樹, 田中, 浩平, 橋本, 昌大, 川上, 喬子

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半導体レーザ短時間加熱解析 von 神田, 康, 宇河, 康, 蓮見, 真彦, 鮫島, 俊之, 佐野, 直樹, 内藤, 勝男, 濱本, 成顕

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Siへのクラスターイオン注入III　 − クラスターC低温co-implantの欠陥回復への効果 von 鉄田, 博, 濱本, 成顕, 永山, 勉, 酒井, 茂樹, 丹上, 正安, 海勢頭, 聖, 古賀, 雄二, 前原, 憲明, 河村, 泰典, 中島, 良樹, 田中, 浩平, 橋野, 義和, 橋本, 昌大, 吉見, 英樹, 瀬崎, 伸一

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Siへのクラスターイオン注入I　- 熱処理後のB活性化 von 鉄田, 博, 濱本, 成顕, 永山, 勉, 丹上, 正安, 海勢頭, 勢, 前原, 憲明, 河村, 泰明, 中島, 良樹, 橋野, 義和, 橋本, 昌大, 吉見, 英樹, 瀬崎, 伸一, 川上, 喬子

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Siへのクラスターイオン注入II - クラスターC　co-implantによるPの拡散抑制 von 鉄田, 博, 濱本, 成顕, 永山, 勉, 丹上, 正安, 海勢頭, 勢, 前原, 憲明, 河村, 泰典, 中島, 良樹, 橋野, 義和, 橋本, 昌大, 吉見, 英樹, 瀬崎, 伸一

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31p-ZG-7 L8膜上単原子層標的を用いたMeVヘリウムイオンの荷電変換微分断面積測定(放射線物理) von 春山, 洋一, 斉藤, 学, 浜本, 成顕, 吉田, 紘二

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25p-L-7 C^<4+>イオンによる電子捕獲と電離標的イオンの同時測定 von 斉藤, 学, 春山, 洋一, 浜本, 成顕, 吉田, 鉱二, 今西, 信嗣

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