絶縁膜上ゲルマニウム基板上に円型分布ブラッグ反射鏡で高性能光共振器を開発 von 徐, 学俊, 澤野, 憲太郎, 丸泉, 琢也

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ミュンヘンでの一年 von 澤野, 憲太郎

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27aAW-4 弱反局在測定を用いた歪Ge/SiGe二次元正孔系におけるラシュバスピン軌道相互作用の検出(27aAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 守谷, 頼, 澤野, 憲太郎, 星, 裕介, 白木, 靖寛, 宇佐美, 徳隆, 増渕, 覚, 町田, 友樹

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27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 守谷, 頼, 星, 裕介, 井上, 義久, 増渕, 覚, 澤野, 憲太郎, 白木, 靖寛, 宇佐美, 徳隆, 町田, 友樹

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29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 小幡, 利顕, 武田, 健太, 神岡, 純, 小寺, 哲夫, アクタ, ワシーム, 澤野, 憲太郎, 小田, 俊理, 白木, 靖寛, 樽茶, 清悟

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In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光 von 山田, 航大, 星, 裕介, 澤野, 憲太郎

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25pCJ-3 スピン偏極したシリコン2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 千葉, 奨, 桝富, 龍一, 澤野, 憲太郎, 白木, 靖寛, 岡本, 徹

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歪み緩和 SiGe / Si (111) バッファー層の作製とアニールの効果 von 岡田, 和也, 我妻, 勇哉, 山田, 航大, 井上, 貴裕, 澤野, 憲太郎

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Ge-on-Si(100) p-i-nダイオードの室温 EL 発光における i-Ge 層膜厚の影響 von 佐々木, 雅至, 杉浦, 由和, 我妻, 勇哉, 澤野, 憲太郎, 山田, 航大

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メッシュ型パッドを有する歪みGeマイクロブリッジ構造の作製と発光特性 von 池ヶ谷, 玲雄, 井上, 貴裕, 佐々木, 雅至, 我妻, 勇哉, 澤野, 憲太郎

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縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi上Ge 薄膜の高品質化 von 山田, 敦也, 山田, 道洋, 山田, 晋也, 澤野, 憲太郎, 浜屋, 宏平

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歪み Ge マイクロブリッジにおける端面共振発光の観測 von 井上, 貴裕, 我妻, 勇哉, 池ヶ谷, 玲雄, 岡田, 和也, 澤野, 憲太郎

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18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 井上, 義久, 守谷, 頼, 星, 裕介, 増渕, 覚, 澤野, 憲太郎, 白木, 靖寛, 宇佐美, 徳隆, 町田, 友樹

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イオン注入と熱処理による金属相MoTe2の形成 von 野上田, 聖, 林田, 隼弥, 澤野, 憲太郎, 星, 裕介

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In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光 von 山田, 航大, 星, 裕介, 澤野, 憲太郎

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Ge-on-Si(111) LEDの熱処理による室温EL発光強度増大 von 杉浦, 由和, 佐々木, 雅至, 我妻, 勇哉, 山田, 航大, 星, 裕介, 山田, 道洋, 浜屋, 宏平, 澤野, 憲太郎

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歪みSiGe/Ge(111)におけるクラック形成と伝搬方向制御 von 我妻, 勇哉, Alam, Md. Mahfuz, 岡田, 和也, 金澤, 伶奈, 山田, 道洋, 浜屋, 宏平, 澤野, 憲太郎

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二テルル化モリブデンのhBN封止構造における熱安定性 von 林田, 隼弥, 野上田, 聖, 渡邊, 賢司, 谷口, 尚, 澤野, 憲太郎, 星, 裕介

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歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電特性 von 谷口, 達彦, 石部, 貴史, 我妻, 勇哉, 澤野, 憲太郎, 山下, 雄一郎, 中村, 芳明

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Ge基板に替わりGe-on-Siを用いることによる歪みSiGeへのクラック発生抑制 von 我妻, 勇哉, Alam, Md. Mahfuz, 岡田, 和也, 山田, 道洋, 浜屋, 宏平, 澤野, 憲太郎

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