プレーナー型四端子抵抗変化メモリ(ReRAM)を用いたフィラメント物性の解析 von 澤居, 優圭, 高, 相圭, 青木, 智宏, 岸田, 悟, 木下, 健太郎

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原子間力顕微鏡カンチレバーを用いた高ドリフト耐性を有する微細抵抗変化メモリ(ReRAM)の抵抗スイッチング特性 von 高, 相圭, 澤居, 優圭, 岸田, 悟, 木下, 健太郎

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ナノスケールプレーナー型抵抗変化メモリを用いた雰囲気がフィラメント物性に及ぼす直接的影響の解明 von 澤居, 優圭, 高, 相圭, 岸田, 悟, 木下, 健太郎

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斜めスパッタ法により堆積された金属酸化物抵抗変化メモリのリセット動作特性 von 澤居, 優圭, 木下, 健太郎, 福原, 貴博, 岸田, 悟

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Analysis of filament property using a planar ReRAM von Sawai, Yusuke, Koh, Sang-Gyu, Aoki, Tomohiro, Kisida, Satoru, Kinoshita, Kentaro

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