Si中のΣ9{111}/{115}粒界に形成される2次元ポリモルフィック構造 von 大野, 裕, 吉田, 秀人, 竹田, 精治, 横井, 達也, 中村, 篤智, 松永, 克志, 清水, 康雄, 永井, 康介

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モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析機構 von 大野, 裕, 沓掛, 健太朗, 出浦, 桃子, 米永, 一郎, 清水, 康雄, 井上, 耕治, 海老澤, 直樹, 永井, 康介, 吉田, 秀人, 竹田, 精治

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8aAE-8 3次元アトムプローブによって調べたA533B鋼中のCu拡散(8aAE 格子欠陥(水素・照射損傷・拡散),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))... von 永井, 康介, 高濱, 郁彦, 下平, 昌樹, 外山, 健, 清水, 康雄, 井上, 耕治

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28pAM-1 3次元アトムプローブによるFe中Cuの拡散係数および固溶限の測定(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 永井, 康介, 高濱, 郁彦, 下平, 昌樹, 藏本, 明, 外山, 健, 清水, 康雄, 井上, 耕治

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3 次元アトムプローブによる半導体ナノ構造の元素分布解析 von 清水, 康雄, 井上, 耕治, 髙見澤, 悠, 矢野, 史子, 永井, 康介

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21aCJ-13 シリコン中のΣ9{114}粒界における不純物集積能とひずみの相関 von 大野, 裕, 井上, 海平, 出浦, 桃子, 沓掛, 健太郎, 米永, 一郎, 海老澤, 直樹, 清水, 康雄, 井上, 耕治, 永井, 康介, 吉田, 秀人, 竹田, 精治, 田中, 真悟, 香山, 正憲

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28pAM-4 シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 大野, 裕, 井上, 海平, 二宮, 駿也, 沓掛, 健太郎, 米永, 一郎, 海老澤, 直樹, 高見澤, 悠, 清水, 康雄, 井上, 耕治, 永井, 康介

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27aKA-5 アトムプローブを用いたFe中のCuの拡散定数測定(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 永井, 康介, 高濱, 郁彦, 蔵本, 明, 外山, 健, 清水, 康雄, 井上, 耕治

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Ga2O3/Siヘテロ構造の作製及び構造評価 von 高月, 大輝, 東脇, 正高, 清水, 康雄, 大野, 裕, 永井, 康介, 重川, 直輝, 梁, 剣波

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Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価 von 梁, 剣波, 清水, 康雄, 大野, 裕, 重川, 直輝

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ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価 von 小林, 礼佳, 清水, 康雄, 大野, 裕, 金, 聖祐, 小山, 浩司, 嘉数, 誠, 重川, 直輝, 梁, 剣波

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低温FIB-断面STEM法によるSi/Diamond表面活性化接合界面の構造評価 von 大野, 裕, 梁, 剣波, 吉田, 秀人, 清水, 康雄, 永井, 康介, 重川, 直輝

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シリコン中のヒ素ドーパントの粒界偏析機構 von 大野, 裕, 清水, 康雄, Ren, Jie, 横井, 達也, 井上, 耕治, 永井, 康介, 吉田, 秀人, 沓掛, 健太朗, 藤原, 航三, 中村, 篤智, 松永, 克志

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自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価 von 廣瀬, 淳, 清水, 康雄, 大野, 裕, 梁, 剣波, 重川, 直輝

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GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 von 小林, 礼佳, 清水, 康雄, 大野, 裕, 金, 聖祐, 小山, 浩司, 嘉数, 誠, 重川, 直輝, 梁, 剣波

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表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価 von 清水, 康雄, 海老澤, 直樹, 大野, 裕, 梁, 剣波, 重川, 直輝, 永井, 康介

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３次元アトムプローブを用いた薄膜微結晶シリコン太陽電池の微結晶分布評価 von 清水, 康雄, 瀧, 謙司, 橋口, 大樹, 片山, 博貴, 松本, 光弘, 寺川, 朗, 齋, 均, 松井, 卓矢, 井上, 耕治, 永井, 康介

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高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製 von 梁, 剣波, 清水, 康雄, 大野, 裕, 白崎, 謙次, 永井, 康介, 嘉数, 誠, 金, 聖祐, Martin, Kuball, 重川, 直輝

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表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価 von 大野, 裕, 清水, 康雄, 永井, 康介, 麻生, 亮太郎, 神内, 真人, 吉田, 秀人, 梁, 剣波, 重川, 直輝

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26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))... von 高見澤, 悠, 清水, 康雄, 永井, 康介, 外山, 健, 井上, 耕治, 矢野, 史子, 角村, 貴昭, 西田, 彰男, 最上, 徹

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