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20pAR-12 混晶系Rb_2ZnI_4-K_2ZnI_4の誘電性(20pAR 誘電体(ペロフスカイト,酸化物,量子効果),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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28aTM-7 In_2ZnCl_4の誘電特性(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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24pWY-9 混晶系(Rb_<1-x>Cs_x)_2CdBr_4の相転移II(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
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20pHS-1 (Rb_<1-x>Cs_x)_2CdBr_4の相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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20pHS-2 (NH_4)_3K(SO_4)_2の結晶育成と相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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28aRB-7 Cs_2CdI_4のα-β相転移の時間依存性(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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28aYJ-3 Cs_2MnBr_4のα-β相転移の時間依存性(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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28aYJ-2 強誘電体K_2ZnI_4のチョクラルスキー法による結晶育成(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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21pVE-8 Rb_2CdBr_4の相転移の時間依存性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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