GaN-WPT回路の放射電磁界計測による寄生素子の回路モデリング von 井手, 利英, 清水, 三聡, 高田, 徳幸

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GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性のON/OFF比増大 von 永瀬, 成範, 高橋, 言緒, 清水, 三聡

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金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減 von 土井, 拓馬, 柴山, 茂久, 坂下, 満男, 清水, 三聡, 中塚, 理

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放射電磁界計測による寄生素子抽出法のGaN-WPTへの応用（II） von 井手, 利英, 清水, 三聡, 高田, 徳幸

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界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響 von 土井, 拓馬, 柴山, 茂久, 坂下, 満男, 清水, 三聡, 中塚, 理

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GaN中への窒素によるMgのリコイルインプランテーションの試み(5) von 山田, 寿一, 山田, 永, 高橋, 言緒, 清水, 三聡

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放射電磁界計測による寄生素子抽出法のGaN-WPTへの応用 von 井手, 利英, 清水, 三聡, 高田, 徳幸

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原料ガス交互供給によるBN薄膜のCVD成長機構 von 山田, 永, 井爪, 将, 山田, 寿一, 清水, 三聡

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選択成長法を用いたGaN FinFETの作製：成長窓形成プロセスの検討 von 太田, 貴士, 佐々木, 満考, 高山, 研, 濱田, 拓也, 高橋, 言緒, 井出, 利英, 清水, 三聡, 星井, 拓也, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 筒井, 一生

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CVD成長BN薄膜におけるB原料依存性 von 山田, 永, 井爪, 将, 山田, 寿一, 清水, 三聡

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GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性の評価 von 永瀬, 成範, 高橋, 言緒, 清水, 三聡

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B2H6原料を用いたBN薄膜のCVD成長 von 山田, 永, 井爪, 将, 山田, 寿一, 清水, 三聡

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GaNスイッチング回路の放射電磁界計測による寄生素子抽出 von 井手, 利英, 大森, 幹夫, 清水, 三聡, 高田, 徳幸

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選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良 von 高山, 研, 太田, 貴士, 佐々木, 満孝, 向井, 勇人, 濱田, 拓也, 高橋, 言雄, 井出, 利英, 清水, 三聡, 星井, 拓也, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 筒井, 一生

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界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性 von 土井, 拓馬, 柴山, 茂久, 竹内, 和歌奈, 坂下, 満男, 田岡, 紀之, 清水, 三聡, 中塚, 理

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レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による GaN-HEMT のヘテロ界面ポテンシャル分布のオペランド計測 von 高橋, 言緒, 西村, 辰彦, 中西, 英俊, 川山, 巌, 斗内, 政吉, 清水, 三聡, 高田, 徳幸

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GaN-WPTにおけるNd-Fe-N付コイルによる放射電磁界の抑制 von 井手, 利英, 今岡, 伸嘉, 大森, 幹夫, 尾崎, 公洋, 清水, 三聡, 高田, 徳幸

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アンモニアフリー有機金属気相成長法における高温AlN成長 von 沈, 旭強, 児島, 一聡, 清水, 三聡, 奥村, 元

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ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面特性に与える影響 von 安藤, 悠人, 中村, 徹, 出来, 真斗, 田岡, 紀之, 渡邉, 浩崇, 田中, 敦之, 新田, 州吾, 本田, 善央, 山田, 永, 清水, 三聡, 天野, 浩

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GaN中への窒素によるMgのリコイルインプランテーションの試み(3) von 山田, 寿一, 山田, 永, 長南, 紘志, 田岡, 紀之, 高橋, 言緒, 清水, 三聡

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