GaN表面熱酸化処理によるMOS界面特性の向上 von 山田, 高寛, 伊藤, 丈予, 淺原, 亮平, 渡邉, 健太, 野崎, 幹人, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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HfO2/GeO2/Geスタック構造におけるゲルマニウムと酸素の熱拡散に関する研究 von 小川, 慎吾, 淺原, 亮平, 箕浦, 佑也, 迫, 秀樹, 川崎, 直彦, 山田, 一子, 宮本, 隆志, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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スパッタ成膜したアルミナ系絶縁膜/AlGaN界面のTEM観察 von 野崎, 幹人, 淺原, 亮平, 伊藤, 丈予, 渡邉, 健太, 山田, 高寛, 中澤, 敏志, 按田, 義治, 石田, 昌宏, 上田, 哲三, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価 von 山田, 高寛, 伊藤, 丈予, 淺原, 亮平, 渡邉, 健太, 野崎, 幹人, 中澤, 敏志, 按田, 義治, 石田, 昌宏, 上田, 哲三, 吉越, 章隆, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるSiO2/AlON積層ゲート絶縁膜の検討 von 渡邉, 健太, 淺原, 亮平, 伊藤, 丈予, 野崎, 幹人, 山田, 高寛, 中澤, 敏志, 按田, 義治, 石田, 昌宏, 上田, 哲三, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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放射光光電子分光法によるn-GaN上Al/Tiコンタクトの界面反応分析 von 伊藤, 丈予, 淺原, 亮平, 野崎, 幹人, 中澤, 敏志, 石田, 昌宏, 上田, 哲三, 吉越, 章隆, 寺岡, 有殿, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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Study of thermal diffusion of germanium and oxygen atoms in HfO2/GeO2/Ge stacks von Ogawa, Shingo, Asahara, Ryohei, Minoura, Yuya, Sako, Hideki, Kawasaki, Naohiko, Yamada, Ichiko, Miyamoto, Takashi, Hosoi, Takuji, Shimura, Takayoshi, Watanabe, Heiji

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