Si基板上InNの近赤外光学特性 von 吉田, 玄徳, 中田, 博保, 淀, 徳男

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プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜へのSi基板窒化が及ぼす長波長域PL発光・電気的特性への影響 von 淀, 徳男, 原田, 義之

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プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したIn1-xGaXN、及びIn1-XAlXN混晶薄膜成長における混晶比制御の検討 von 淀, 徳男, 中川, 竜磨, 松下, 真也, 藤元, 章, 原田, 義之, 吉本, 護

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ECR-MBE法で作製したグラフェン単層膜付/SiO2/Si(001)基板上GaN薄膜(t～250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 von 淀, 徳男, 向田, 裕一, 塩尻, 大士, 吉本, 護

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PLD法によるGa2O3薄膜結晶成長に及ぼす雰囲気及び温度依存性 von 塩尻, 大士, 吉田, 彬, 土嶺, 信男, 小粥, 啓子, 淀, 徳男, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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熱刺激電流法によるSi(111)基板上GaN薄膜中のトラップ評価 von 吉田, 福蔵, 中西, 佑太, 三嶋, 一成, 中谷, 光宏, 淀, 徳男, 吉浦, 昌彦

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28a-N-10 Ge/Zn中の束縛励起子 II von 淀, 徳男, 中田, 博保, 大塚, 頴三

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2a-B-3 Ge/Zn中の束縛励起子(遠赤外磁気吸収) von 中田, 博保, 淀, 徳男, 大塚, 頴三

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1a-Pβ-11 Ge中のEHDの緩和時間に対する磁場効果 von 淀, 徳男, 中田, 博保, 大塚, 穎三

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(100) GaAs基板上CdTe薄膜の分子線エピタキシャル成長初期過程の観察 von 淀, 徳男, 古庄, 毅, 森, 哲生, 矢野, 満明

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Observation of the Initial MBE Growth Process for the CdTe Films on (100) GaAs Substrates von YODO, Tokuo, FURUSHOU, Takeshi, MORI, Tetsuo, YANO, Mitsuaki

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