4H-SiC 中のV 準位におけるキャリア捕獲/再結合過程 von 村田, 晃一, 浅田, 聡志, 土田, 秀一

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Analytical formula for temperature dependence of resistivity in p-type 4H-SiC with wide-range doping concentrations von Asada, Satoshi, Suda, Jun, Kimoto, Tsunenobu

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高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流および逆方向電界放出電流の発現 von 原, 征大, 浅田, 聡志, 前田, 拓也, 木本, 恒暢

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高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価 von 原, 征大, 浅田, 聡志, 前田, 拓也, 木本, 恒暢

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SiC バイポーラトランジスタにおけるベース拡がり抵抗によるオン特性悪化を防ぐための設計条件 von 浅田, 聡志, 須田, 淳, 木本, 恒暢

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表面パッシベーション酸化膜の窒化処理により生じるメサ型4H-SiC pn ダイオードの順方向リーク電流の起源 von 浅田, 聡志, 木本, 恒暢, 須田, 淳

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様々なドーピング密度を有するp型4H-SiCのホール効果の温度依存性 von 浅田, 聡志, 奥田, 貴史, 木本, 恒暢, 須田, 淳

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高電流増幅率4H-SiC(000-1) BJTの電流増幅率の温度依存性 von 浅田, 聡志, 奥田, 貴史, 木本, 恒暢, 須田, 淳

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WS-06. 真に医学教育改革に資するIRとは? ～第2回医療系IR友の会ミーティング von 恒川幸司, 中村真理子, 岡田聡志, 淺田義和, 菰田孝行, 椎橋実智男

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