数字普惠金融对农户收入不平等的影响研究——基于CFPS数据的实证分析 von 斯丽娟, 汤晓晓

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老年慢阻肺患者护理中心理护理的应用探析 von 汤晓晓

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冠心病患者的中西医结合护理方法分析 von 汤晓晓

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Investigation of current transport parameters of Ti/4H-SiC MPS diode with inhomogeneous barrier von 宋庆文 张玉明 张义门 陈丰平 汤晓燕

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Edge termination study and fabrication of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode von 陈丰平 张玉明 张义门 汤晓燕 王悦湖 陈文豪

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Simulation study of a mixed terminal structure for 4H-SiC merged PiN/Schottky diode von 黄健华 吕红亮 张玉明 张义门 汤晓燕 陈丰平 宋庆文

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A study of pollination accuracy in distylous Rubiaceae species ( Luculia pinceana ) von CHEN Yan, 陈燕，王顺雨，游贤松，胡德美，姚仁秀，汤晓辛，王晓月

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Electrophysiological forms of Guillain-Barre syndrome in Beijing suburb von 张晓君 汤晓芙 张振馨 杜华 李本红

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一种艾炷制备模具的设计和运用 von 李伟红 汤晓冬 凌昌全

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Near-interface oxide traps in 4H-SiC MOS structures fabricated with and without annealing in NO von 孙秋杰, 张玉明, 宋庆文, 汤晓燕, 张艺蒙, 李诚瞻, 赵艳黎, 张义门

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Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal–oxide–semiconductor devices von 贾一凡 吕红亮 钮应喜 李玲 宋庆文 汤晓燕 李诚瞻 赵艳黎 肖莉 王梁永 唐光明 张义门 张玉明

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Energy-band alignment of atomic layer deposited（HfO2）x（Al2O3）1-x gate dielectrics on 4H-SiC von 贾仁需 董林鹏 钮应喜 李诚瞻 宋庆文 汤晓燕 杨霏 张玉明

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4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystaUine silicon field plate termination von 袁昊 汤晓燕 张义门 张玉明 宋庆文 杨霏 吴昊

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Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H-SiC power SBDs von 宋庆文 汤晓燕 袁昊 王悦湖 张艺蒙 郭辉 贾仁需 吕红亮 张义门 张玉明

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Non-ideal effect in 4H-SiC bipolar junction transistor with double Gaussian-doped base von 元磊 张玉明 宋庆文 汤晓燕 张义门

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Fabrication and characterization of the normally,off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors von 宋庆文 汤晓燕 何艳静 唐冠男 王悦湖 张艺蒙 郭辉 贾仁需 吕红亮 张义门 张玉明

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Development of a beta radioluminescence nuclear battery von 许志恒 汤晓斌 洪亮 刘云鹏 陈达

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The fabrication and characterization of 4H-SiC power UMOSFETs von 宋庆文 张玉明 韩吉胜 Philip Tanner Sima Dimitrijev 张义门 汤晓燕 郭辉

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Low specific contact resistance on epitaxial p-type 4H-SiC with a step-bunching surface von 韩超 张玉明 宋庆文 汤晓燕 张义门 郭辉 王悦湖

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Effect of re-oxidation annealing process on the SiO2/SiC interface characteristics von 闫宏丽 贾仁需 汤晓燕 宋庆文 张玉明

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