-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
Non-ideal effect in 4H-SiC bipolar junction transistor with double Gaussian-doped base
Veröffentlicht in Chinese physics B
VolltextArtikel -
16
Low specific contact resistance on epitaxial p-type 4H-SiC with a step-bunching surface
Veröffentlicht in Chinese physics B
VolltextArtikel -
17
-
18
Edge termination study and fabrication of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode
Veröffentlicht in Chinese physics B
VolltextArtikel -
19
Simulation study of a mixed terminal structure for 4H-SiC merged PiN/Schottky diode
Veröffentlicht in Chinese physics B
VolltextArtikel -
20
Investigation of dislocations in 8° off-axis 4H-SiC epilayer
Veröffentlicht in Chinese physics B
VolltextArtikel