Suchergebnisse - 江間, 研太郎 | OPAC THWS

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GaCl3気体原料を用いたβ-Ga2O3ホモエピタキシャル成長 von 長野, 理紗, 江間, 研太郎, 佐々木, 公平, 倉又, 朗人, 村上, 尚

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THVPE法によるSCAMO基板上InGaN成長 von 小林, 伊織, 江間, 研太郎, 日永田, 亮平, 村上, 尚, 纐纈, 明伯

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PSS上GaN中間層によるInGaN厚膜の格子緩和状態の制御 von 日永田, 亮平, 江間, 研太郎, 村上, 尚, 纐纈, 明伯

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THVPE法を用いたInGaN厚膜成長における緩和状態の制御 von 日永田, 亮平, 江間, 研太郎, 村上, 尚, 纐纈, 明伯

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トリハライド気相成長法を用いたβ-酸化ガリウム成長 von 江間, 研太郎, 小川, 直紀, 佐々木, 公平, 倉又, 朗人, 村上, 尚

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トリハライド気相成長法によるa面sapphire基板上へのε-Ga2O3成長 von 江間, 研太郎, 竹川, 直, 後藤, 健, 村上, 尚, 熊谷, 義直

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トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長 von 植井, 里緒, 川邊, 充希, 江間, 研太郎, 村上, 尚, 熊谷, 義直, 纐纈, 明伯

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