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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製したInGaN/GaNナノ構造の形状に対するアンモニアガス導入効果
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による位置制御された極微細InGaN/GaN量子井戸ナノピラーの作製と評価
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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製した単一InGaN/GaNナノピラーの室温発光
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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製したInGaN/GaNナノ構造のオゾン水パッシベーション
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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による微細(≤ 10 nm)InGaN量子構造の作製
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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN単一量子ディスクナノLEDの作製
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水素雰囲気熱処理InGaN/GaN多重量子井戸層の発光特性評価及び水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるナノ構造の作製
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