TEM g • b 解析による 4H-SiC 中転位欠陥の調査 von 森, 貴仁, 比氣, 朋典, 吉川, 政夫

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Investigation of dislocations in 4H-SiC by g•b contrast analysis using TEM von Mori, Takahito, Hiki, Tomonori, Yoshikawa, Masao

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