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    Characterization of GaN grown on 4H-SiC and sapphire by Raman spectroscopy and high resolution XRD

    Characterization of GaN grown on 4H-SiC and sapphire by Raman spectroscopy and high resolution XRD von 段焕涛 谷文萍 张进成 郝跃 陈炽 倪金玉 许昇瑞

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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