Reduction of contact resistance on AlGaN/GaN HEMT structures introducing uneven AlGaN layers von Takei, Yusuke, Kamiya, Masayuki, Tsutsui, Kazuo, Saito, Wataru, Kakushima, Kuniyuki, Wakabayashi, Hitoshi, Kataoka, Yoshinori, Iwai, Hiroshi

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AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明 von 武井, 優典, 下田, 智裕, 高橋, 昌靖, 筒井, 一生, 齋藤, 渉, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 岩井, 洋

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AlGaN / GaN HEMT構造における凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減効果の解析 von 渡部, 拓巳, 星井, 拓也, 武井, 優典, 下田, 智裕, 筒井, 一生, 齊藤, 渉, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 岩井, 洋

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立体チャネルトランジスタ応用に向けたGaN選択成長の検討 von 黒岩, 宏紀, 武井, 優典, 高橋, 言緒, 井手, 利英, 清水, 三聡, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 岩井, 洋

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AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造パターン依存性 von 下田, 智裕, 武井, 優典, 筒井, 一生, 齋藤, 渉, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 岩井, 洋

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AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減 von 武井, 優典, 下田, 智裕, 筒井, 一生, 齋藤, 渉, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 岩井, 洋

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AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による2次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性 von 神谷, 真行, 寺山, 一真, 武井, 優典, 齋藤, 渉, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 筒井, 一生, 岩井, 洋

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AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタへの凹凸AlGaN 層導入による低抵抗コンタクト形成の可能性 von 神谷, 真行, 武井, 優典, 齋藤, 渉, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 筒井, 一生, 岩井, 洋

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SiNマスクによるGaN選択成長における成長前プロセスの検討 von シン, マン, 萱沼, 怜, 武井, 優典, 高橋, 言緒, 井手, 利英, 清水, 三聡, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 岩井, 洋

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AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタクト抵抗のAlGaN層厚依存性による抵抗成分分析 von 武井, 優典, 岡本, 真里, シン, マン, 萱沼, 玲, 下田, 智裕, 三井, 陽平, 齋藤, 渉, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 岩井, 洋

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オゾン酸化を用いたAlGaN/GaNのサブnmステップバイステップエッチング von 武井, 優典, 神谷, 真行, 寺山, 一真, 米澤, 宏昭, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, アヘメト, パールハット, 服部, 健雄, 岩井, 洋

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AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性 von 武井, 優典, 神谷, 真行, 寺山, 一真, 米澤, 宏昭, 齋藤, 渉, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 岩井, 洋

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AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN層厚依存性 von 武井, 優典, 岡本, 真里, シン, マン, 萱沼, 玲, 神谷, 真行, 齋藤, 渉, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, 若林, 整, 片岡, 好則, 岩井, 洋

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可燃性ガスを用いない多結晶Ni 基板上へのグラフェン合成 von 武井, 優典, 鈴木, 哲, 古川, 一暁, 日比野, 浩樹

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反応抑制シリサイド層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長 von 萱沼, 良介, 武井, 優典, 高橋, 慶太, 筒井, 一生

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オゾン酸化を用いたSiおよびGeのサブnmステップバイステップエッチング von 武井, 優典, 寺山, 一真, 米澤, 宏昭, 宮田, 陽平, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, ﾊﾟｰﾙﾊｯﾄ, ｱﾍﾒﾄ, 服部, 健雄, 岩井, 洋

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Si極浅接合プロファイリングのためのステップエッチング法の比較 von 寺山, 一真, 神谷, 真行, 武井, 優典, 宮田, 陽平, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, アヘメト, パールハット, 服部, 健雄, 岩井, 洋

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Niシリサイド／Siショットキー接合界面における偏析不純物の活性化の評価 von 秋田, 洸平, 宮田, 陽平, 寺山, 一真, 武井, 優典, 筒井, 一生, 野平, 博司, 角嶋, 邦之, アヘメト, パールハット, 服部, 健雄, 岩井, 洋

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極浅不純物深さ方向プロファイリングのためのオゾン酸化を用いたSiステップバイステップエッチングの不純物濃度依存性 von 武井, 優典, 寺山, 一真, 宮田, 陽平, 金原, 潤, 筒井, 一生, 角嶋, 邦之, アヘメト, パールハット, 服部, 健雄, 岩井, 洋

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軟X線光電子分光法によるSi中の極浅高濃度Bドープ層におけるクラスター濃度分布解析 von 金原, 潤, 宮田, 陽平, 武井, 優典, 寺山, 一真, 筒井, 一生, 野平, 博司, 泉, 雄大, 室, 隆桂之, 木下, 豊彦, アヘメト, パールハット, 角嶋, 邦之, 服部, 健雄, 岩井, 洋

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