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28p-J-9 Bis(4-methoxyphenyl)methano[60]fullereneにおける遠赤外領域の吸収
Veröffentlicht in 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会
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THE DAMAGE MEASUREMENT OF ION- IMPLANTED COMPOUND SEMICONDUCTOR GaAs BY PIXE-CHANNELING TECHNIQUE
Veröffentlicht in 核技术:英文版
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Empirical Scaling Laws of Neutral Beam Injection Power in HL-2A Tokamak
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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A MICROBEAM SYSTEM OF HIGH ENERGY IONS AT FUDAN UNIVERSITY
Veröffentlicht in 核技术:英文版
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