-
1
-
2
-
3
-
4
選択再成長高濃度ボロンドープ層の導入によるALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETsの接触抵抗低減;ドレイン電流密度 | IDS | > 1 A/mm
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
O51-4. 都心における重症外傷へのDMAT派遣の実情について
Veröffentlicht in Japanese Journal of Disaster Medicine
VolltextArtikel -
14
-
15
-
16