高InNモル分率GaInNを用いたトンネル接合 von 南川, 大智, 桑野, 侑香, 河合, 俊介, 森田, 隆敏, 岩谷, 素顕, 竹内, 哲也, 上山, 智, 赤崎, 勇

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III族窒化物半導体埋込みトンネル接合による電流狭窄構造 von 桑野, 侑香, 堀川, 航佑, 森田, 隆敏, 井野, 匡貴, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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族窒化物半導体トンネル接合上の高効率LED von 森田, 隆敏, 井野, 匡貴, 桑野, 侑香, 渡邉, 雅大, 岩谷, 素顕, 竹内, 哲也, 上山, 智, 赤﨑, 勇

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GaInNトンネル接合素子の低抵抗化 von 森田, 隆敏, 加賀, 充, 桑野, 侑香, 松井, 健城, 渡邉, 雅大, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇

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横方向p型活性化における雰囲気ガス依存性 von 桑野, 侑香, 加賀, 充, 森田, 隆敏, 山下, 浩司, 南川, 大智, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇

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III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED von 森田, 隆敏, 加賀, 充, 桑野, 侑香, 松井, 健城, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤崎, 勇

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窒化物半導体トンネル接合による低抵抗電流注入 von 加賀, 充, 山下, 浩司, 森田, 隆敏, 桑野, 侑香, 矢木, 康太, 岩谷, 素顕, 竹内, 哲也, 上山, 智, 赤崎, 勇

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n 型GaN 表面層を有するトンネル接合p 型層活性化の検討 von 桑野, 侑香, 山下, 浩司, 加賀, 充, 矢木, 康太, 森田, 隆敏, 松井, 健城, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤崎, 勇

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