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    GaN-based light emitting diodes on nano-hole patterned sapphire substrate prepared by three-beam laser inter- ference lithography

    GaN-based light emitting diodes on nano-hole patterned sapphire substrate prepared by three-beam laser inter- ference lithography von 桑伟华 林露 王龙 闵嘉华 朱建军 王敏锐

    Veröffentlicht in 光电子快报：英文版

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