低温成長GaN/n-GaN SBDのDLTS測定 von 柴田, 龍成, 徳田, 豊, 脇, 英司, 伏見, 浩

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MCTS法によるMOCVD n-GaNの正孔トラップの解析 von 松村, 俊哉, 柴田, 龍成, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 上田, 博之, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹

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方形波重み関数を用いた電流DLTS法による有機ELのトラップ観測 von 柴田, 龍成, 内藤, 秀成, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 加藤, 哲弥, 片山, 雅之

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低温成長AlN, GaN/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaNのDLTS評価 von 柴田, 龍成, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 上田, 博之, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹

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サファイア基板、n+-GaN基板上MOCVD n-GaNのDLTS、MCTSによる比較研究 von 柴田, 龍成, 松村, 俊哉, 徳田, 豊, 上田, 博之, 上杉, 勉, 加地, 徹

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AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響 von 國塩, 直樹, 塩島, 謙次, 山田, 悠二郎, 柴田, 龍成, 秋山, 一樹, 徳田, 豊

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マイクロマグネティックシミュレーションを用いたスピン波の伝搬特性における強磁性導波路幅依存性の検証 von 赤松, 竜成, 柴田, 晃治, 笠原, 健司, 眞砂, 卓史

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Py 導波路の幅がスピン波の伝搬特性に与える影響 von 赤松, 竜成, 柴田, 晃治, 笠原, 健司, 眞砂, 卓史

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