23pPSB-14 CaF_2及びZnSe基板上p型CVDグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴 von 沼田, 拓也, 中村, 大輔, 八木, 克典, 林, 賢二郎, 佐藤, 信太郎, 嶽山, 正二郎

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9aAH-6 p型CVD単層グラフェンの超強磁場サイクロトロン共鳴(II)(9aAH 領域4,領域7合同グラフェン(量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 沼田, 拓也, 中村, 大輔, 八木, 克典, 林, 賢二郎, 佐藤, 信太郎, 嶽山, 正二郎

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27aCL-3 p型CVD単層グラフェンの超強磁場サイクロトロン共鳴(27aCL 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果・電子相関),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 沼田, 拓也, 齋藤, 宏晃, 中村, 大輔, 八木, 克典, 林, 賢二郎, 佐藤, 信太郎, 嶽山, 正二郎

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CVD法による遷移金属ダイカルコゲナイド膜成長における基板依存性 von 林, 賢二郎

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次世代 CMOS チャネル実現に向けたグラフェン・触媒局所界面構造の光電子顕微鏡による研究 von 近藤, 大雄, 林, 賢二郎, 山口, 淳一, 佐藤, 信太郎, 横山, 直樹

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CVD成長した多層グラフェンからの剥離転写法の検討 von 林, 賢二郎, 伏見, 直樹, 片岡, 真紗子, 近藤, 大雄, 佐藤, 信太郎

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CVD法によるランダム多層グラフェン合成とその光学特性 von 近藤, 大雄, 林, 賢二郎, 片岡, 真紗子, 乗松, 正明, 佐藤, 信太郎

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CVD法によるランダム多層グラフェン合成とその光学特性 von 近藤, 大雄, 林, 賢二郎, 片岡, 真沙子, 佐藤, 信太郎

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Mo膜硫化によるMoS2の配向成長 von 林, 賢二郎, 片岡, 真紗子, 實宝, 秀幸, 大淵, 真理, 佐藤, 信太郎

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スパッタ法で合成したh-BN薄膜とその絶縁特性 von 近藤, 大雄, 林, 賢二郎, 片岡, 真沙子, 佐藤, 信太郎

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22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))... von 森田, 康平, 林, 賢二郎, 水野, 清義, 田中, 悟

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次世代CMOSチャネル実現に向けた硬X線光電子分光によるグラフェン・ゲート絶縁膜界面構造の最適化 von 近藤, 大雄, 林, 賢二郎, 山口, 淳一, 曽我, 育生, 佐藤, 信太郎, 横山, 直樹

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グラフェン・ナノリボンのボトムアップ成長過程におけるエッジ修飾基の影響 von 大伴, 真名歩, 林, 宏暢, 林, 賢二郎, 實宝, 秀幸, 山口, 淳一, 大淵, 真理, 山田, 容子, 佐藤, 信太郎

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スパッタリング堆積法によるSnS2 膜作製とポストアニールの効果 von 林, 賢二郎, 片岡, 真紗子, 實宝, 秀幸, 大淵, 真理, 岩井, 大介, 佐藤, 信太郎

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SnS2合成とガスセンサーへの応用 von 林, 賢二郎, 片岡, 真紗子, 實宝, 秀幸, 大淵, 真理, 岩井, 大介, 佐藤, 信太郎

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28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体)) von 田中, 悟, チェンダ, スレイ, 萩原, 好人, 森田, 康平, 林, 賢二郎, 水野, 清義, 小森, 文夫, 中辻, 寛, 日比野, 浩樹

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CVD法により合成したh-BN薄膜の絶縁特性 von 近藤, 大雄, 林, 賢二郎, 岩井, 大介, 佐藤, 信太郎

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金属合金膜を用いたSnS2リボンのエピタキシャル成長 von 林, 賢二郎, 片岡, 真紗子, 實宝, 秀幸, 大淵, 真理, 佐藤, 信太郎

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21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長) von 白澤, 徹郎, 林, 賢二郎, 水野, 清義, 田中, 悟, 栃原, 浩

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22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長) von 林, 賢二郎, 水野, 清義, 栃原, 浩, 白澤, 徹郎, 田中, 悟

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