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24aBJ-9 シリコン量子ドットを用いた電荷検出(24aBJ 微小接合・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
Veröffentlicht in 日本物理学会講演概要集
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Localization effects in the tunnel barriers of phosphorus-doped silicon quantum dots
Veröffentlicht in AIP advances
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Properties of n-Ge epilayer on Si substrate with in-situ doping technology
Veröffentlicht in Chinese physics B
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비당뇨병성 말기신부전 환자에서 심혈관질환 발생의 예측 인자로서 아디포넥틴의 유용성
Veröffentlicht in Kidney research and clinical practice
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