ハイドライド気相成長法におけるサファイア加工基板を用いた自立GaN基板の自発分離技術 von 石橋, 直人, 板垣, 憲広, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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逆メサ加工GaNテンプレートを用いたGaNの選択成長 von 板垣, 憲広, 永利, 圭, 井本, 良, 岡田, 成仁, 西宮, 智靖, 松尾, 文晴, 只友, 一行

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化学的活性条件でのICP-RIEによる半極性面GaNのエッチング形状 von 永利, 圭, 板垣, 憲広, 井本, 良, 岡田, 成仁, 西宮, 智靖, 松尾, 文晴, 只友, 一行

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HVPE法によるGaNの選択成長におけるマスク幅依存性とファセット形成メカニズム von 河原, 慎, 行實, 孝太, 松原, 徹, 板垣, 憲広, 井本, 良, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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逆メサ加工GaNテンプレートを用いた自立GaN基板作製 von 板垣, 憲広, 野島, 康平, 石橋, 直人, 井本, 良, 岡田, 成仁, 西宮, 智靖, 松尾, 文晴, 只友, 一行

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ハイドライド気相成長におけるGaN選択成長のファセット形状のストライプマスク周期依存性 von 河原, 慎, 行實, 孝太, 松原, 徹, 板垣, 憲広, 岡田, 成仁, 山根, 啓輔, 只友, 一行

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誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いたGaNの逆メサ加工 von 板垣, 憲広, 永利, 圭, 岡田, 成仁, 井本, 良, 西宮, 智晴, 松尾, 文晴, 只友, 一行

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ハイドライド気相成長におけるGaNテンプレートの品質がGaN基板に与える影響 von 江上, 卓也, 山本, 健志, 稲垣, 卓志, 板垣, 憲広, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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