27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議) von 菊地, 潤, 松尾, 有里子, 寒川, 義裕, 田中, 健, 熊谷, 義直, 纐纈, 明伯

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25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議) von 岩本, 智行, 野間, かおり, 松尾, 有里子, 寒川, 義裕, 熊谷, 義直, 纐纈, 明伯

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27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議) von 藤野, 真理恵, 富樫, 理恵, 松尾, 有里子, 寒川, 義裕, 熊谷, 義直, 入澤, 寿美, 纐纈, 明伯

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第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I) von 松尾, 有里子, 寒川, 義裕, 熊谷, 義直, 入澤, 寿美, 纐纈, 明伯

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17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析 von 大久保, 一平, 原田, 英明, 三箇山, 毅, 井上, 直久, 松尾, 有里子, 纐纈, 明伯

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22aB3 GaAs面上への水素吸着 : その場測定と量子化学計算(気相成長I) von 松尾, 有里子, 仁村, 幹彦, 纐纈, 明伯

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オスマン朝中期におけるミュラーゼメット（教授・法官候補）制度 : 『ルメリ・カザスケリ登銀簿』（Rumeli Kazaskerliği Rûznâmesi）を手がかりに... von 松尾, 有里子

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シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析 von 船尾, 大輔, 大久保, 一平, 井上, 直久, 松尾, 有里子, 纐纈, 明伯

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