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1
逆メサ加工GaNテンプレートを用いたGaNの選択成長
von
板垣, 憲広
,
永利, 圭
,
井本, 良
,
岡田, 成仁
,
西宮, 智靖
,
松尾, 文晴
,
只友, 一行
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応用物理学会学術講演会講演予稿集
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2
化学的活性条件でのICP-RIEによる半極性面GaNのエッチング形状
von
永利, 圭
,
板垣, 憲広
,
井本, 良
,
岡田, 成仁
,
西宮, 智靖
,
松尾, 文晴
,
只友, 一行
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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3
逆メサ加工GaNテンプレートを用いた自立GaN基板作製
von
板垣, 憲広
,
野島, 康平
,
石橋, 直人
,
井本, 良
,
岡田, 成仁
,
西宮, 智靖
,
松尾, 文晴
,
只友, 一行
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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4
誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いたGaNの逆メサ加工
von
板垣, 憲広
,
永利, 圭
,
岡田, 成仁
,
井本, 良
,
西宮, 智晴
,
松尾, 文晴
,
只友, 一行
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応用物理学会学術講演会講演予稿集
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17A-503-12
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20P-H121-24
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Etching
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Hvpe
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デバイス,プロセス
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