横方向光閉じ込め構造を有するGaN系面発光レーザ von 林, 菜摘, 松井, 健城, 古田, 貴士, 赤木, 孝信, 竹内, 哲也, 上山, 智, 赤﨑, 勇

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n型AlInN/GaN DBRを有する微小共振器LED von 池山, 和希, 小塚, 祐吾, 吉田, 翔太朗, 松井, 健城, 赤木, 孝信, 岩山, 章, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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電子オーバーフロー直接観測を用いた青色LED電子ブロック層の検討 von 林, 健人, 松井, 健城, 安田, 俊輝, 勝野, 翔太, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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GaInNトンネル接合素子の低抵抗化 von 森田, 隆敏, 加賀, 充, 桑野, 侑香, 松井, 健城, 渡邉, 雅大, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇

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電子ブロック層上活性層による電子オーバーフローの直接観測 von 林, 健人, 松井, 健城, 森田, 隆敏, 鈴木, 智行, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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窒化物半導体二波長発光ダイオードにおける発光強度比の安定性 von 松井, 健城, 山下, 浩司, 加賀, 充, 森田, 隆敏, 鈴木, 智行, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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Mgドープ中間層を用いた二波長発光ダイオードにおける電流注入依存性量の検討 von 松井, 健城, 山下, 浩司, 加賀, 充, 森田, 隆敏, 鈴木, 智行, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤崎, 勇

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III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED von 森田, 隆敏, 加賀, 充, 桑野, 侑香, 松井, 健城, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤崎, 勇

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二つの活性層を有する窒化物半導体発光ダイオードのキャリア注入制御 von 松井, 健城, 山下, 浩司, 加賀, 充, 森田, 隆敏, 鈴木, 智行, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤崎, 勇

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n 型GaN 表面層を有するトンネル接合p 型層活性化の検討 von 桑野, 侑香, 山下, 浩司, 加賀, 充, 矢木, 康太, 森田, 隆敏, 松井, 健城, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤崎, 勇

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Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors von Ikeyama, Kazuki, Kozuka, Yugo, Matsui, Kenjo, Yoshida, Shotaro, Akagi, Takanobu, Akatsuka, Yasuto, Koide, Norikatsu, Takeuchi, Tetsuya, Kamiyama, Satoshi, Iwaya, Motoaki, Akasaki, Isamu

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