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    Evaluation of a gate-first process for AIGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with low ohmic annealing temperature

    Evaluation of a gate-first process for AIGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with low ohmic annealing temperature von 李柳暗 张家琦 刘扬 敖金平

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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