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    Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer

    Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer von 李志聪 李盼盼 王兵 李鸿渐 梁萌 姚然 李璟 邓元明 伊晓燕 王国宏 李晋闽

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    Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer

    Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer von Li, Zhicong (志聪 李), Li, Panpan (盼盼 李), Wang, Bing (兵王), Li, Hongjian (鸿渐 李), Liang, Meng (萌梁), Yao, Ran (然姚), Li, Jing (璟李), Deng, Yuanming (元明 邓), Yi, Xiaoyan (晓燕 伊), Wang, Guohong (国宏 王), Li, Jinmin (晋闽 李)

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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