Suchergebnisse - 李多力 | OPAC THWS

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一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术 von 叶甜春, 李博, 刘凡宇, 李多力, 李彬鸿, 陈思远

Veröffentlicht in 原子能科学技术

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2

Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFETInstitute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China von 梅博毕津顺李多力刘思南韩郑生

Veröffentlicht in 半导体学报

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3

总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器 von 刘梦新韩郑生李多力刘刚赵超荣赵发展

Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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4

采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压 von 吴峻峰钟兴华李多力毕津顺海潮和

Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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5

部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性 von 吴峻峰钟兴华李多力康晓辉邵红旭杨建军海潮和韩郑生

Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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Analytical workload dependence of self-heating effect for SOI MOSFETs considering two-stage heating process von Li, Yi-Fan, Ni, Tao, Li, Xiao-Jing, Wang, Juan-Juan, Gao, Lin-Chun, Bu, Jian-Hui, Li, Duo-Li, Cai, Xiao-Wu, Xu, Li-Da, Li, Xue-Qin, Wang, Run-Jian, Zeng, Chuan-Bin, Li, Bo, Zhao, Fa-Zhan, Luo, Jia-Jun, Han, Zheng-Sheng

Veröffentlicht in Chinese physics B

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