Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AIGaN/GaN heterostructure field-effect transistors von 王磊 张家琦 李柳暗 前田裕太郎 敖金平

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Evaluation of a gate-first process for AIGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with low ohmic annealing temperature von 李柳暗 张家琦 刘扬 敖金平

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Growth and Characteristics of Freestanding Hemispherical Diamond Films by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition von 王启亮 吕宪义 李柳暗 成绍恒 李红东

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Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate von 张家琦 王磊 李柳暗 王青鹏 江滢 朱慧超 敖金平

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TiN電極マイクロ波整流用GaN SBDの温度特性 von 藤原, 諒太, 板井, 勇樹, 劉, 強, 李, 柳暗, 大野, 泰夫, 敖, 金平

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GaNデバイスにおけるゲート・ファースト・プロセスの検討 von 白石, 孝之, 李, 柳暗, 岸, 明徳, 敖, 金平, 大野, 泰夫

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TiN電極を有するマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード von 板井, 勇樹, 岸, 明徳, 李, 柳暗, 白石, 孝之, 福居, 和人, 劉, 強, 敖, 金平, 大野, 泰夫

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