招待講演 ナノメッシュを用いたスキンセンサ von 横田 知之, 李 成薫, 染谷 隆夫

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有機光センサを用いた血圧の連続測定に関する研究 von 白山, 巌, 李, 成薫, 染谷, 隆夫, 横田, 知之

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極薄ゴム基板上への有機トランジスタの作製 von 奥田, 知華, 王, 燕, 汪, 浩洋, 李, 成薫, 横田, 知之, 染谷, 隆夫

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電磁波シールド配線を用いたテキスタイル型センサによる運動時における筋電図計測 von 高野, 幹太, 雪田, 和歌子, 李, 成薫, 横田, 知之, 染谷, 隆夫

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有機電気化学トランジスタによる心筋細胞電位計測 von 神保, 泰俊, 佐々木, 大輔, 李, 成薫, 大矢, 貴史, 横田, 知之, 清水, 達也, 染谷, 隆夫

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ナノファイバー配向制御によるメッシュ基板の伸縮性の検討 von 奥谷, 智裕, 横田, 知之, 李, 成薫, 陳, ハンビッ, 染谷, 隆夫

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プレーナ型In0.53Ga0.47AsチャネルTunneling Field Effect Transistor von 飯田, 亮, 李, 成薫, 金, 相賢, 横山, 正史, 田岡, 紀之, 竹中, 充, 高木, 信一

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極薄膜Al2O3界面層を挿入したHfO2/InGaAs MOS構造のCET薄膜化 von 鈴木, 麗菜, 李, 成薫, 金, 相賢, 星井, 拓也, 横山, 正史, 田岡, 紀之, ウィパコーン, ジェバスワン, 前田, 辰郎, 安田, 哲二, 市川, 磨, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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InGaAs MOS構造における伝導帯内界面準位によるフェルミレベルピニング von 田岡, 紀之, 横山, 正史, 金, 相賢, 鈴木, 麗菜, 飯田, 亮, 李, 成薫, 星井, 拓也, ウィパコーン, ジェバスワン, 前田, 辰郎, 市川, 磨, 安田, 哲二, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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InGaAs MOS界面における伝導帯内界面準位の物理的起源 von 田岡, 紀之, 横山, 正史, 金, 相賢, 鈴木, 麗菜, 飯田, 亮, 李, 成薫, 星井, 拓也, ウィパコーン, ジェバスワン, 前田, 辰郎, 市川, 磨, 安田, 哲二, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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Al/ALD-Al2O3/InGaAs MOS構造における蓄積容量の解析 von 田岡, 紀之, 鈴木, 麗菜, 横山, 正史, 飯田, 亮, 李, 成薫, 金, 相賢, 星井, 拓也, ウィパコーン, ジェバスワン, 前田, 辰郎, 市川, 磨, 安田, 哲二, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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ALD Al2O3界面層を用いたHfO2/InGaAs MOS界面特性の改善 von 鈴木, 麗菜, 李, 成薫, 金, 相賢, 星井, 拓也, 横山, 正史, 田岡, 紀之, ウィパコーン, ジェバスワン, 前田, 辰郎, 安田, 哲二, 市川, 磨, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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メタルS/D 構造及びMOS interface buffer 層の導入による極薄膜 InGaAs-OI MOSFET の高性能化 von 金, 相賢, 横山, 正史, 田岡, 紀之, 飯田, 亮, 李, 成薫, 中根, 了昌, 卜部, 友二, 宮田, 典幸, 安田, 哲二, 山田, 永, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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Ni-InGaAsメタルS/D構造を用いた自己整合型InxGa1-xAs MOSFET von 金, 相賢, 横山, 正史, 田岡, 紀之, 飯田, 亮, 李, 成薫, 中根, 了昌, 卜部, 友二, 宮田, 典幸, 安田, 哲二, 山田, 永, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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窒素プラズマを用いたAl2O3/InGaAs MOS構造の価電子帯近傍界面特性の改善 von 李, 成薫, 飯田, 亮, 金, 相賢, 星井, 拓也, 田岡, 紀之, 横山, 正史, ウィポコーン, ジェバスワン, 安田, 哲二, 山田, 永, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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ALD-Al2O3/InP界面におけるコンダクタンスカーブの定量解析 von 田岡, 紀之, 横山, 正史, 金, 相賢, 鈴木, 麗菜, 星井, 拓也, 飯田, 亮, 李, 成薫, 卜部, 友二, 宮田, 典幸, 山田, 永, 安田, 哲二, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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InGaAs MOSFETのメタルS/D材料としてのNi-InGaAs合金層の評価 von 金, 相賢, 横山, 正史, 田岡, 紀之, 飯田, 亮, 李, 成薫, 中根, 了昌, 卜部, 友二, 宮田, 典幸, 安田, 哲二, 山田, 永, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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コンダクタンス法によるALD-Al2O3/InP界面の電気的特性評価 von 田岡, 紀之, 横山, 正史, 金, 相賢, 星井, 拓也, 飯田, 亮, 李, 成薫, 鈴木, 麗菜, 卜部, 友二, 宮田, 典幸, 安田, 哲二, 山田, 永, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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自己整合プロセスを用いたフロントゲート型InGaAs-On-Insulator MOSFET von 飯田, 亮, 李, 成薫, 金, 相賢, 横山, 正史, 田岡, 紀之, 安田, 哲二, 高木, 秀樹, 卜部, 友二, 宮田, 典幸, 山田, 永, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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メタルS/D構造を用いた自己整合型InP MOSFETの作製 von 金, 相賢, 横山, 正史, 田岡, 紀之, 飯田, 亮, 李, 成薫, 中根, 了昌, 卜部, 友二, 宮田, 典幸, 安田, 哲二, 山田, 永, 福原, 昇, 秦, 雅彦, 竹中, 充, 高木, 信一

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