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    GaAs-based long-wavelength InAs bilayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy

    GaAs-based long-wavelength InAs bilayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy von 朱岩 李密锋 贺继方 喻颖 倪海桥 徐应强 王娟 贺振宏 牛智川

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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