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両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定によるGaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定
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Franz-Keldysh効果による光電流を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定
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GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析によるホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価
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Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の測定
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