化学修飾したソース-ドレイン電極を有する 有機トランジスタメモリの書込特性 von 西田, 直之, 服部, 励太郎, 永瀬, 隆, 小林, 隆史, 内藤, 裕義

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塗布形成した電荷蓄積層を有する有機フォトトランジスタメモリ の低電圧駆動 von 服部, 励太郎, 西田, 直之, 永瀬, 隆, 小林, 隆史, 内藤, 裕義

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有機フローティングゲートフォトトランジスタメモリの低電圧駆動と閾値電圧制御 von 服部, 励太郎, 東中屋, 美帆, 田津原, 汐音, 永瀬, 隆, 小林, 隆史, 内藤, 裕義

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両極性高分子半導体を用いた正孔トラップ型有機フローティングゲートメモリの作製と特性評価 von 西田, 直之, 田津原, 汐音, 服部, 励太郎, 東中屋, 美帆, 永瀬, 隆, 小林, 隆史, 内藤, 裕義

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NAND型フラッシュメモリ応用に向けた正孔蓄積型有機トランジスタメモリの開発 von 東中屋, 美帆, 永瀬, 隆, 服部, 励太郎, 小林, 隆史, 内藤, 裕義

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塗布型有機フローティングゲートメモリの電荷蓄積層に対する可溶性フラーレンの添加効果 von 服部, 励太郎, 東中屋, 美帆, 永瀬, 隆, 小林, 隆史, 内藤, 裕義

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塗布型有機フローティングトランジスタメモリのデバイス特性に対する半導体薄膜の分子配向性の影響 von 服部, 励太郎, 阿部, 駿人, 東中屋, 美帆, 永瀬, 隆, 小林, 隆史, 内藤, 裕義

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