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    Controllable Fabrication of GeSi Nanowires in Diameter of About 10 nm Using the Top-Down Approach

    Controllable Fabrication of GeSi Nanowires in Diameter of About 10 nm Using the Top-Down Approach von 曾成 李毅 夏金松

    Veröffentlicht in 中国物理快报：英文版

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    Controllable Fabrication of GeSi Nanowires in Diameter of About 10 nm Using the Top-Down Approach

    Controllable Fabrication of GeSi Nanowires in Diameter of About 10 nm Using the Top-Down Approach von 曾成, 李毅, 夏金松

    Veröffentlicht in Chinese physics letters

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