酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用 von 曲 勇作, 古田 守

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高移動度水素化In2O3薄膜トランジスタ von 曲, 勇作, 片岡, 大樹, 古田, 守, 葉, 文昌

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陽極酸化法Al2O3ゲート絶縁膜を用いたIGZO TFTの低温作製 von 河野, 守哉, 森, 海, 曲, 勇作, 古田, 守

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水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価 von 曲, 勇作, 増田, 健太郎, 牧野, 久雄, 古田, 守

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水素化InGaZnOxによる高移動度薄膜トランジスタの低温作製-2 ～成膜時の酸素及び水素のTFT特性・信頼性影響 von 濱田, 秀平, 是友, 大地, 曲, 勇作, 古田, 守

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Ar+O2+H2スパッタIn–Ga–Zn­–O薄膜の電子状態評価 von 曲, 勇作, 増田, 健太郎, 牧野, 久雄, 古田, 守

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水素添加多結晶IGO:H膜による高移動度薄膜トランジスタ von 神寳, 健太, 田中, 大貴, 松村, 俊宏, 片岡, 大樹, 曲, 勇作, 古田, 守, 佐々木, 大地, 川嶋, 絵美, 霍間, 勇輝

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水素化InGaZnOxによる高移動度薄膜トランジスタの低温作製-1 ～高In比率IGZOへの水素添加効果 von 古田, 守, 森, 海, 濱田, 秀平, 河野, 守哉, 是友, 大地, 曲, 勇作

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Ar+O2+H2スパッタIn­–Ga–Zn­–OによるSchottkyダイオード特性向上 von 曲, 勇作, 濵田, 賢一朗, 増田, 健太郎, 古田, 守

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ヘテロ接合チャネルによるIn–Ga–Zn–O薄膜トランジスタの高移動度・高信頼性化 von 古田, 守, 是友, 大地, アマン, メハディ, 曲, 勇作

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Ar+O2+H2スパッタIn­–Ga­–Zn­–OによるSchottkyダイオード特性向上 von 曲, 勇作, 濵田, 賢一朗, 増田, 健太郎, 古田, 守

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ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス von 滝下 雄太, 杉崎 澄夫, 是友 大地, 曲 勇作, 古田 守, 松田 時宜, 木村 睦

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Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性 von 池口 翼, 荒牧 達也, 梅田 鉄馬, 上沼 睦典, 是友 大地, 曲 勇作, 古田 守, 木村 睦

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デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O/AgxO接合型ショットキーダイオードの特性解析 von 濱田, 賢一朗, 曲, 勇作, 是友, 大地, 増田, 健太郎, 古田, 守

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InGaZnO/AgOX酸化物ヘテロ界面によるショットキー特性評価 von 曲, 勇作, 橋本, 慎輔, 濵田, 賢一朗, 古田, 守

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Ar+O2+H2スパッタによるIn–Ga–Zn–O薄膜トランジスタの低温形成 von 古田, 守, Mahadhi, Aman S G, 曲, 勇作, 神寳, 健太, 是友, 大地

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プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用 : プラズマ処理時の基板バイアスの効果 von 曲 勇作, 戸田 達也, 牧野 久雄

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AgOX/InGaZnOショットキー接合形成に向けた反応性スパッタ法によるAgOXの形成と物性評価 von 橋本, 慎輔, 曲, 勇作, 濵田, 賢一朗, 古田, 守

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プラズマ処理によるIGZO TFTのソース・ドレイン領域形成 ～ガス種と基板バイアスが抵抗率およびその熱的安定性に及ぼす効果 von 曲, 勇作, Wang, Dapeng, 古田, 守

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Low-temperature processed In-Ga-Zn-O thin-film-transistors with an anodize Al2O3 gate insulator von Kono, Shuya, Mori, Marin, Yusaku, Magari, Mamoru, Furuta

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