In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As 同一基板上に作製したPHEMT の周波数特性 von 山崎, 陽一, 是枝, 勇太, 西尾, 結, 遠藤, 裕, 佐藤, 宏一, 芳澤, 研哉, 田口, 博久, 高梨, 良文

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In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As 同一基板上に作製したPMSM-PD の応答特性 von 西尾, 結, 是枝, 勇太, 山崎, 陽一, 渡邉, 亮, 田口, 博久, 高梨, 良文

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InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistorsのゲート‐ソース間電圧による光応答時間の依存性 von 是枝, 勇太, 安藤, 貴寿, 遠藤, 裕, 佐藤, 宏一, 芳澤, 研哉, 田口, 博久, 高梨, 良文

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InAlAs/InAs/InGaAs-PHEMT の直流及び高周波応答特性 von 遠藤, 裕, 安藤, 貴寿, 是枝, 勇太, 佐藤, 宏一, 芳澤, 研哉, 田口, 博久, 高梨, 良文

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