28pJA-2 水素終端Si(110)-(1×1)表面の初期酸化過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 川本, 絵里奈, 新村, 紘和, 松下, ステファン悠, 山田, 太郎, 須藤, 彰三

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18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 新村, 紘和, 瀧川, 知昭, 加藤, 大樹, 松下, ステファン悠, 山田, 太郎, 川添, 良幸, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 芳賀, 健也, 松下, ステファン悠, 姜, 正敏, 梅津, 新, 新村, 紘和, 鈴木, 貴幸, 山田, 太郎, 須藤, 彰三

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18pFN-3 Initial oxidation process of H-terminated Si(111)-(1×1) surface von Niimura, H., Takikawa, C., Kato, D., Matsushita, S. Y., Yamada, T., Murugan, P., Kawazoe, Y., Kasuya, A., Suto, S.

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