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    Recovery of PMOSFET NBTI under different conditions

    Recovery of PMOSFET NBTI under different conditions von 曹艳荣 杨毅 曹成 何文龙 郑雪峰 马晓华 郝跃

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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    Effect of gate length on the parameter degradation relations of PMOSFET under NBTI stress

    Effect of gate length on the parameter degradation relations of PMOSFET under NBTI stress von 曹艳荣 何文龙 曹成 杨毅 郑雪峰 马晓华 郝跃

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