MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察 - 表面電場とフォトデンバー効果の分離 von 西村, 辰彦, 中西, 英俊, 川山, 巌, 斗内, 政吉, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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SiO2/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御 von 山田, 高寛, 寺島, 大貴, 渡邉, 健太, 野崎, 幹人, 山田, 永, 高橋, 言諸, 清水, 三聡, 吉越, 章隆, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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振幅格子とピクセル検出器を用いたエネルギー分解X線位相イメージングの検討 von 細野, 凌, 佐野, 壱成, 川端, 智樹, 林田, 清, 土岐, 貴弘, 細井, 卓治, 渡部, 平司, 志村, 孝功

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横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価 von 梶村, 恵子, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割 von 永井, 大介, 細井, 卓司, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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局所溶融液相成長による石英基板上単結晶GeSn層形成とトランジスタ応用 von 小山, 真広, 岡, 博史, 天本, 隆史, 冨永, 幸平, 田中, 章吾, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定 von 天本, 隆史, 冨永, 幸平, 梶村, 恵子, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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横方向液相成長法により作製したn型Ge-on-insulator層の直接遷移発光の増強 von 梶村, 恵子, 松江, 将博, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位 von 冨永, 幸平, 松江, 将博, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価 von 梶村, 恵子, 松江, 将博, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価 von 冨永, 幸平, 松江, 将博, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定 von 松江, 将博, 安武, 裕輔, 深津, 晋, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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MBD法により作製したMetal/High-k/GeO2/Geスタックの熱処理による構造変化 von 秀島, 伊織, 田中, 亮平, 箕浦, 佑也, 吉越, 章隆, 寺岡, 有殿, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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横方向液相成長により作製したGOIバックゲートトランジスタのキャリア移動度評価 von 西川, 弘晃, 鈴木, 雄一郎, 松江, 将博, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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TiN/High-k/SiO2中Hf及びLaの拡散現象に対するpoly-Si上部電極の影響 von 大嶽, 祐輝, 有村, 拓晃, 佐伯, 雅之, 北野, 尚武, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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断面TEM及びAFMによる4H-SiC熱酸化膜の表面･界面構造評価 von 上西, 悠介, 小園, 幸平, 箕谷, 周平, 中野, 佑紀, 中村, 孝, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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SiC熱酸化膜の信頼性低下を引き起こす外的要因の検討 von 上西, 悠介, 箕谷, 周平, 中野, 祐紀, 中村, 孝, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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SiC基板表面形状とMOSデバイス絶縁破壊箇所の相関のC-AFM評価 von 上西, 悠介, 小園, 幸平, 箕谷, 周平, 中野, 佑紀, 中村, 孝, 細井, 卓治, 志村, 孝功, 渡部, 平司

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放射光XPSによるSiO2/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価 von 桐野, 嵩史, 景井, 悠介, 岡本, 学, 吉越, 章隆, 寺岡, 有殿, 箕谷, 周平, 中野, 佑紀, 中村, 孝, 細井, 卓治, 渡部, 平司, 志村, 孝功

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14p-DL-10 シリコン(001)面上に成長した微細結晶相の構造 : 低温酸化の場合 von 高橋, 功, 中野, 晃軌, 原田, 仁平, 志村, 孝功, 梅野, 正隆

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