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Design and experimental testing of a gas cluster ion accelerator
Veröffentlicht in Chinese physics C
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Effects of wet-ROA on shallow interface traps of n-type 4H-SiC MOS capacitors
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Passivation effects of phosphorus on 4H-SiC (0001) Si dangling bonds: A first-principles study
Veröffentlicht in 中国物理B:英文版
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