4H-SiC MOSFETの高温ドレインバイアス試験における故障メカニズム解析 von 内田, 光亮, 日吉, 透, 西口, 太郎, 山本, 裕史, 松川, 真治, 古米, 正樹, 御神村, 泰樹

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3.3 kV 4H-SiC MOSFETの作製と特性評価 von 酒井, 光彦, 内田, 光亮, 日吉, 透, 和田, 圭司, 古米, 正樹, 築野, 孝, 御神村, 泰樹

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