改变教学方式 激发学生学习兴趣 von 张进成

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带有原位生长SiNx绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件 von 陈晓娟, 张一川, 张昇, 李艳奎, 牛洁斌, 黄森, 马晓华, 张进成, 魏珂

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Effect of a high temperature AlN buffer layer grown by initially alternating supply of ammonia on AIGaN/GaN heterostuctures von 段焕涛 郝跃 张进成

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Characteristics of AIGaN/GaN/AIGaN double heterojunction HEMTs with an improved breakdown voltage von 马俊彩 张进成 薛军帅 林志宇 刘子扬 薛晓咏 马晓华 郝跃

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Fabrication of InA1GaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphire Substrates by Pulsed Metal Organic Chemical Vapor Deposition von 全汝岱 张进成 张雅超 张苇航 任泽阳 郝跃

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The reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under step-electrical stresses von 马晓华 焦颖 马平 贺强 马骥刚 张凯 张会龙 张进成 郝跃

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Optical and structural investigation of a-plane GaN layers on r-plane sapphire with nucleation layer optimization von 张金凤 许晟瑞 张进成 郝跃

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Development and characteristic analysis of a field-plated Al2O3/AlInN/GaN MOS-HEMT von 毛维 杨翠 郝跃 张进成 刘红侠 毕志伟 许晟瑞 薛军帅 马晓华 王冲 杨林安 张金风 匡贤伟

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The effect of a HfO2 insulator on the improvement of breakdown voltage in field-plated GaN-based HEMT von 毛维 杨翠 郝跃 马晓华 王冲 张进成 刘红侠 毕志伟 许晟瑞 杨林安 杨凌 张凯 张乃干 裴轶

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The effects of vicinal sapphire substrates on the properties of AlGaN/GaN heterostructures von 许志豪 张进成 张忠芬 朱庆玮 段焕涛 郝跃

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Superior material qualities and transport properties of InGaN channel heterostructure grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition von 张雅超 周小伟 许晟瑞 陈大正 王之哲 汪星 张金风 张进成 郝跃

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Germanium PMOSFETs with Low-Temperature Si2H6 Passivation Featuring High Hole Mobility and Superior Negative Bias Temperature Instability von 王洪娟 韩根全 刘艳 颜静 张春福 张进成 郝跃

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Stress, structural and electrical properties of Si-doped GaN film grown by MOCVD von 许志豪 张进成 段焕涛 张忠芬 朱庆玮 徐浩 郝跃

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Robust Performance of AlGaN-Channel Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors at High Temperatures von 张力 张金风 张苇杭 张涛 徐雷 张进成 郝跃

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Improved Semipolar （1132） GaN Quality Grown on m-Plane Sapphire Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Using Self-Organized SiNx Interlayer von 许晟瑞 赵颖 姜腾 张进成 李培咸 郝跃

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Enhancement of Breakdown Voltage in A1GaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Buried p-Type Layers von 罗俊 赵胜雷 林志宇 张进成 马晓华 郝跃

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Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor von 杨凌 周小伟 马晓华 吕玲 曹艳荣 张进成 郝跃

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Semipolar（1122） and polar（0001） InGaN grown on sapphire substrate by using pulsed metal organic chemical vapor deposition von 许晟瑞 赵颖 蒋仁渊 姜腾 任泽阳 张进成 郝跃

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Groove-type channel enhancement-mode Al GaN/GaN MIS HEMT with combined polar and nonpolar AlGaN/GaN heterostructures von 段小玲 张进成 肖明 赵一 宁静 郝跃

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Robust Performance of AlGaN-Channel Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors at High Temperatures von 张力, 张金风, 张苇杭, 张涛, 徐雷, 张进成, 郝跃

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