Method of simulation of low dose rate for total dose effect in 0.18 μm CMOS technology von 何宝平 姚志斌 郭红霞 罗尹虹 张凤祁 王圆明 张科营

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Discussion of the metric in characterizing the single-event effect induced by heavy ions von 张科营 张凤祁 罗尹虹 郭红霞

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SRAM single event upset calculation and test using protons in the secondary beam in the BEPC von 王园明 郭红霞 张凤祁 张科营 陈伟 罗尹虹 郭晓强

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Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation von 肖尧 郭红霞 张凤祁 赵雯 王燕萍 张科营 丁李利 范雪 罗尹虹 王园明

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